微流控芯片制造技术介绍（二）

    微流控芯片制造技术介绍：

    d、曝出

    将刚制取好需要处理芯片图形光刻掩膜附着在基片上，用紫外光等通过掩膜对光刻胶开展可选择性直射。受阳光照射的光刻胶发生反应。

    在实际工作中，快门速度由光刻膜、胶纸薄厚、灯源抗压强度及其灯源与基片间隔确定。曝出的方法有有机化学曝出、触碰和贴近式打印曝出、光学投影显像曝出。

    e、成像

    用光胶配套设施显影液根据化学法去掉经曝出的光胶（正光胶）或没经曝出的光胶（负光胶），显影液和成像时长的挑选对成像实际效果的影响很大。挑选显影液原则就是，对于需要清除的那一部分胶纸溶解性大、融解速度更快，对于需要保存的那一部分溶解性小。成像时长视光致抗蚀剂的类型、胶纸薄厚、显影液类型、成像温度和操作步骤而不同。

    f、坚膜

    将成像后基片进行清洁后在一定温度下烤制，以完全去掉成像后残余于胶纸里的有机溶剂或水份，使胶纸与基片密切黏附，避免黏胶掉下来，并提升胶纸自身的抗蚀水平。坚膜温度和时间会适宜。

    g、刻蚀

    蚀刻加工代表着应用基酶化合物（一般是酸）以液态或蒸气方式蚀刻加工掉（即融解）特点。蚀刻加工一般用于制造玻璃基或硅基微流体处理芯片。最先：应用掩膜遮盖夹层玻璃或硅基芯片上不应该被蚀刻加工的那一部分。再将部件暴露于蚀刻剂下，清除用于制作生物芯片特点的原材料。蚀刻加工一般是制造玻璃或单晶硅片的唯一方式。

    依据刻蚀剂情况不一样，可以将浸蚀加工工艺分成湿式刻蚀和干式刻蚀两类。湿式刻蚀是由有机化学刻蚀液和被刻蚀化学物质之间的化学变化要被刻蚀化学物质脱离出来的刻蚀方式。大部分湿式刻蚀是非常容易掌控的各向异性浸蚀。

    特点是挑选比较高、均匀度好、对单晶硅片损害少，基本上适合所有金属、夹层玻璃、塑胶等相关材料。主要缺点图形保真度较弱，横着腐蚀与此同时，常常会出现侧面钻蚀，以至刻蚀图形最少线距受限制。

    2、热压法

    热压法是一种运用较广泛快速复制电泳原理微通道的芯片制作技巧，适用PMMA与PC等热塑性聚合物原材料。热压法的磨具能是孔径在50um以内的铁丝或者刻蚀有凸突的微通道骨片阳膜，如镍基阳模、光伏电池阳模、夹层玻璃阳模、微机械加工制造金属阳模。此方法挺大快速复制，机器设备简易，操作方便，但使用原材料比较有限。